一、概述:

       半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng)，集多種測量功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如 MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等） 的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精準測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試， 如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

二、系統(tǒng)組成

       半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng)，主要包括測試主機、測 試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關(guān)測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采??鈦科?主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、 電容測量單元模塊。結(jié)合專?上位機測試軟件，可根據(jù)測試項?需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿?不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保 存與導(dǎo)出，并可?成I‐V以及C‐V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺 搭配使?，實現(xiàn)晶圓級芯?測試。

三、半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測量系統(tǒng)的主要應(yīng)用

1、功率半導(dǎo)體的來料檢驗

2、功率半導(dǎo)體的靜態(tài)參數(shù)驗證或標定 

3、實驗室的器件評估

4、功率半導(dǎo)體的?產(chǎn)檢驗和篩選

5、半導(dǎo)體器件的?藝改進評估

6、半導(dǎo)體器件的失效分析

7、半導(dǎo)體器件的教育科研

四、硬件優(yōu)勢

      功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，配置有多種測量單元模塊， 模塊化的設(shè)計測試?法靈活，能夠極??便?戶添加或升級測量模塊， 適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

1、高電壓達8000V （擴展至10kV） 

2、大電流達6000A （多模塊并聯(lián)）

3、納安級漏電流uΩ級導(dǎo)通電阻

4、高精度測量0.1%

5、模塊化配置可添加或升級測量單元

6、測試效率高、自動切換、一鍵測試

7、兼容多種封裝根據(jù)測試需求定制夾具

五、測試夾具

       針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、 GaN等產(chǎn)品，力鈦科提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試，后期可根據(jù)客戶需求來定制化相對應(yīng)封裝。

六、軟件特點：

1、測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%

2、柵極‐發(fā)射極，支持30V/10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流

3、集電極‐發(fā)射極，支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs， 且具備電壓高速同步采樣功能

4、支持8000V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能

5、電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測試，頻率支持1MHz

七、軟件界面

八、測試器件類型及項目

九、測試原理